ظرفیت : چهار ترابایت
قابلیت‌های حافظه : پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های مقاومتی : مقاوم در برابر شوک
رابط‌ها : PCI-Express 4.0 x4
| وزن |
10 گرم |
|---|---|
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی |
Up to 1,600,000 IOPS |
| کنترل کننده |
Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی |
Up to 1,550,000 IOPS |
| نوع رابط حافظه |
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| ظرفیت |
چهار ترابایت |
| حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک |
1500G |
| میانگین عمر |
1.5 میلیون ساعت |
| نوع فلش |
TLC |
| قابلیت‌های حافظه |
پشتیبانی از TRIM |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی |
Up to 6,900 MB/s |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی |
Up to 7,450 MB/s |
| قابلیت‌های مقاومتی |
مقاوم در برابر شوک |
| سرعت انتقال اطلاعات |
10 گیگابیت بر ثانیه |
| مصرف برق |
Average: 6.5 W |
| رابط‌ها |
PCI-Express 4.0 x4 |
بازگشت کالا تا 7 روز
درتمامی محصولات
در سریع ترین زمان
روزهای کاری ساعت 9 الی 20
هنوز حساب کاربری ندارید؟
ایجاد حساب کاربری
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.